วงจรสมมูลของเซลล์แสงอาทิตย์ เซลล์แสงอาทิตย์สามารถนำมาเขียนเป็นวงจรสมมูลอย่างง่าย ซึ่งประกอบไปด้วยแหล่งจ่ายกระแสต่อร่วมกับไดโอด D ตัวต้านทาน Rs และตัวต้านทาน Rp มีความเข้มแสง G และอุณหภูมิ T เป็นตัวแปรอินพุท โดยตัวแปรเอาว์พุทเป็นกระแสไฟฟ้า I และ แรงดันไฟฟ้า V ขณะไม่มีแสงอาทิตย์ตกกระทบเซลล์แสงอาทิตย์ จะมีพฤติกรรมเหมือนไดโอดทางอุดมคติตัวหนึ่ง เมื่อมีแสงอาทิตย์มาตกกระทบ เซลล์แสงอาทิตย์จะผลิตกระแสไฟฟ้าจำนวนหนึ่ง เมื่อแสงที่ตกกระทบมีปริมาณมากพอที่ทำให้เกิดแรงดันด้านเอ
าว์พุทสูงกว่าแรงดันไปแอสตรงของไดโอด ทำให้ไอโอดดังกล่าวนำกระแสไฟฟ้า
ซึ่ง Ipv คือกระแสไฟฟ้าที่เซลล์แสงอาทิตย์สร้างขึ้น, Io คือกระแสอิ่มตัวย้อนกลับของไอโอด, Rs คือความต้านทานอนุกรม, Rp คือความต้านทานขนาน, q คือประจุอิเล็กตรอน (1.6×10-19C), k คือค่าคงที่โบลซ์มัน (1.3805×10-23JK-1), n คือค่าสมบัติข
องวัสดุ (1.2)
ซึ่ง Isc คือกระแสไฟฟ้าขณะลัดวงจร, Voc คือแรงดันไฟฟ้าขณะเปิดวงจร, Kv คือค่าประสิทธิภาพของแรงดันไฟฟ้าต่ออุณหภูมิ, Ki คือค่าประสิทธิภาพของกระแสไฟฟ้าต่ออุณหภูมิ, Tn เป็นอุณหภูมิที่ STC และ Gn คือค่าความเข้มแสงที่ STC เมื่อค่าความเข้มแสงเพิ่มขึ้น ทำให้เซลล์แสงอาทิตย์มีการผลิตกระแสไฟฟ้าเพิ่มมากขึ้น แต่ให้แรงดันไฟฟ้าปริมาณเล็กน้อย และเมื่อค่าอุณหภูมิลดลง ทำให้เซลล์แสงอาทิตย์ให้แรงดันไฟฟ้าเพิ่มมากขึ้น แต่ปริมาณกระแสไฟฟ้าลดลงเล็กน้อย
พฤติกรรมทางไฟฟ้าของเซลล์แสงอาทิตย์สามารถเปลี่ยนแปลงได้จากผลกระทบของค่าความต้านทาน Rs และ Rp ตามลำดับ การเพิ่มขึ้นของค่า Rs จะทำให้ค่าฟิลแฟคเตอร์ลดลง ทั้งนี้อาจเกิดขึ้นจากการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนผ่านรอยต่อ P-N หรือความต้านทานบริเวณหน้าสัมผัสระหว่างรอยต่อ
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น